Brechungsindex von Silicon

Silizium ist das zweithäufigste Element auf der Erde. Es stellt die Basis für nahezu alle nicht-optischen Halbleiterprodukte dar. In der Optik ist Silikon primär als Detektor oder Reflektor interessant, und sowohl der Brechungsindex als auch der Absorptionskoeffizient sind von besonderer Wichtigkeit. Die unten angegebenen Werte gelten unabhängig davon, ob die Probenoberfläche parallel zur 111 oder 100 Kristallebene verläuft. Auch der Grad der Dotierung hat nur einen sehr kleinen Einfluss auf den Brechungsindex im hier betrachteten Wellenlängenbereich (200 bis 2500nm). Silizium bildet eine nahezu perfekte Schicht von SiO2 wenn es einer oxidierenden Umgebung ausgesetzt wird. Diese "natürliche" Oxidschicht muss häufig berücksichtigt werden, wenn der Brechungsindex oder die Schichtdicke von sehr dünnen Schichten auf Silizium gemessen werden soll.

Für eine typische Probe von Si betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 3.882 und 0.019.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

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Brechungsindex Referenz - Handbook of Optical Constants of Solids, Edward D. Palik. Academic Press, Boston, 1985

D. E. Aspnes and J. B. Theeten (1980) "Spectroscopic Analysis of the Interface Between Si and Its Thermally Grown Oxide" J. Electrochem. Soc., Volume 127, Issue 6, pp. 1359-1365 doi :10.1149/1.2129899
Wikipedia: Silicon

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