Brechungsindex von Indium Phosphide
Indium phosphide (InP) is a binary semiconductor composed of indium and phosphorus. InP is used in high-power and high-frequency electronics.
Für eine typische Probe von InP betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 3.536 und 0.308.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.
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Brechungsindex Referenz - Sopra Material Database
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