Brechungsindex von Indium Arsenide

Indium arsenide, InAs, or indium monoarsenide, is a semiconductor material, a semiconductor composed of indium and arsenic. It has the appearance of grey cubic crystals and is used for construction of infrared detectors, for the wavelength range of 1-3.8 ?Em. The detectors are usually photovoltaic photodiodes.

Für eine typische Probe von InAs betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 3.963 und 0.607.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

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Brechungsindex Referenz - D. E. Aspnes and A. A. Studna, Phys. Rev. B 27 985 (1983)

D. E. Aspnes and A. A. Studna (1983) "Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV" Phys. Rev. B 27, 985–1009 doi: 10.1103/PhysRevB.27.985

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