Brechungsindex von Gallium Phosphide

Gallium phosphide (GaP), a phosphide of gallium, is a compound semiconductor material with an indirect band gap of 2.26 eV. The polycrystalline material has the appearance of pale orange pieces.

Für eine typische Probe von GaP betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 3.314 und 0.000.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

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Brechungsindex Referenz - Sopra Material Database

Wikipedia: Gallium phosphide
Sopra Material Database
D. E. Aspnes and A. A. Studna (1983) Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eVdoi: 10.1103/PhysRevB.27.985

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