Brechungsindex von Gallium Nitride

Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard material that has a Wurtzite crystal structure.

Für eine typische Probe von GaN betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 2.380 und 0.000.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

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Brechungsindex Referenz - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 183

Wikipedia: Gallium nitride
Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors: numerical data and graphical

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