Brechungsindex von Gallium Arsenide

Gallium arsenide (GaAs) is a compound of the elements gallium and arsenic. It is a III/V semiconductor, and is used in the manufacture of devices such as microwave frequency integrated circuits, monolithic microwave integrated circuits, infrared light-emitting diodes, laser diodes, solar cells, and optical windows.

Für eine typische Probe von GaAs betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 3.857 und 0.198.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

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Brechungsindex Referenz - J. B. Theeten, D. E. Aspnes, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 49, 6097 (1978)

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Wikipedia: Gallium arsenide
Handbook of optical constants of solids By Edward D. Palik: Gallium arsenide

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