Brechungsindex von Aluminium Nitride

Aluminium nitride (AlN) is a nitride of aluminium. Its wurtzite phase (w-AlN) is a wide band gap (6.2 eV) semiconductor material, giving it potential application for deep ultraviolet optoelectronics.

Für eine typische Probe von AlN betragen der Brechungsindex und der Absorptionskoeffizient bei 632.8 nm 2.165 und 0.000.Unten sind Dateien mit den kompletten Daten für den Brechungsindex und den Absorptionskoeffizienten aufgeführt. Wenn die Datei nicht zum Download verfügbar ist, dann können Sie die verschlüsselte Datei anfordern, indem Sie auf "Anfordern" klicken.

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Brechungsindex Referenz - Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors, Adachi, pg 150

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